3Shenzhen Best LED Opto-electronic Co., Ltd는 770nm LED (± 10nm) 재고를 제공합니다. 파장 범위가 760-770nm, 770-780nm 인 IR LED는 모두 Best LED 공장에서 사용할 수 있습니다. 3528FIRC-77L / 14I100은 GaAs 기술 기반 GaAlAs의 고효율 적외선 방출 다이오드로, 투명한 흰색의 투명한 착색 플라스틱 패키지로 성형됩니다. 1.8-2.5 전압 및 100mA 전류에서 작동 할 수 있습니다. 770nm LED는 식물 재배 및 의료 감지 장비에 널리 사용됩니다. maGaAs 기술의 표준 GaAs와 비교할 때이 이미 터는 유사한 파장에서 100 % 이상의 복사 전력 향상을 달성합니다. 따라서 이러한 이미 터는 표준 이미 터의 고성능 대체품으로 이상적으로 적합합니다. 모든 IR LED, UV LED 및 가시 LED는 ROHS REACH, EN62471, LM80 표준을 충족 할 수 있습니다.

- 치수 매개 변수-

이 SMD LED 케이스는 IR LED, UV LED, 파란색 SMD LED, 빨간색 SMD LED, 황색 LED 요법에도 사용할 수 있습니다.

-발광색-

-전기적 매개 변수-

Ta = 25 ℃ 에서 절대 최대 정격

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	270mW
Pulse Forward Current	IFP	350mA
Forward Current	IF	100mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	2000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

광학 및 전기적 특성 ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.8		2.5	V	IF=100mA
Pulse Forward Voltage	VF		3		V	IFP=350mA
Radiant Intensity	IE	40		60	mw/sr	IF=100mA
Peak Wavelength	λP	760	770	780	nm	IF=100mA
Total Radiated Power	PO		5.0		mw	IF=100mA
Half Width	Dl		50		nm	IF=100mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=100mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
Rise Time	Tr		25		ns	IF=100mA
Fall Time	Tf		13		ns	IF=100mA
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

-770nm LED-

-골든 와이어 연결-

* LED의 수명을 모두 유지하기 위해 BestLED 공장은 내부 회로 연결을 위해 고순도 금선을 사용합니다.

-포장-

* 릴로 테이프를 붙인 후 진공 포장으로 포장합니다.

-신청-

-관련 LED-

-생산-

- 사용하다 -