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Shenzhen Best LED Opto-electronic Co.,Ltd

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0.3W 850nm IR LED - 5050 3 칩 LED
0.3W 850nm IR LED - 5050 3 칩 LED
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0.3W 850nm IR LED - 5050 3 칩 LED

지불 유형: T/T,Paypal
Incoterm: FOB
최소 주문량: 7500 Piece/Pieces
배송 시간: 7 일
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기본 정보

    모형: 5050IRC-85L10I90

    LED 패키지 타입: 

    Chip Material: AlGaAs

    빔 각도: 120 °

    IP 등급: IP68

    기본 재질: 구리

    LED 칩: 에피 스타

    Power: 0.2W

    생명: 80000h

    인증: FCC, RoHS, CE

    Inner Packing: Anti-static Bag

    Current: 20mA*3

    Polarity: Polarity Mark Cathode

    Emitting Color: Infrared Red

    Size: 5.0*5.0*1.3mm

    Voltage: 1.5V

    Chip Size: 275um*275um *3pcs

    Peak Wavelength: 850nm

    Radiant Intensity: 30-45mw/sr

    LED Material:: AlGaAs/AlGaAs LED Chips

Additional Info

    포장: 판지 상자

    생산력: 1000000000 pcs/week

    상표: BestLED

    수송: Ocean,Land,Air

    원산지: 중국 심천

    공급 능력: 7000000000 pcs/week

    인증 : GB/T19001-2008/ISO9001:2008

    HS 코드: 8541100000

    포트: Shenzhen

제품 설명

- 5050 SMD 적외선 LED -

5050IRC-85L10I90

850nm LED 널리 CCTV 카메라, 야간 투시경 카메라 또는 일부 다른 제거 제어 시스템 및 IR 보안 시스템에서 사용할 수 있습니다. 이 SMD LED 케이스는 다른 SMD LED (2835 SMD LED, 3528 SMD LED 요법)보다 큰 5.0 * 5.0mm입니다. 그래서이 5050 SMD LED 케이스에는 3 개의 칩 LED 베어드 다이를 넣을 수있는 충분한 공간이 있습니다. 이 경우,이 850nm 적외선 LED 3 칩 LED는 균일 한 조명 방사선 결과를 얻습니다. 이들 고전력 850nm 적외선 LED와 비교해 볼 때,이 5050 3 칩 850nm LED는 경제적이며 에너지 절약이 될 것입니다. SMD LED 안에 3 개의 칩이있는 850nm가 필요합니까? 자세한 내용은 문의하십시오!

5050 smd ir led

- Size: 5.0*5.0*1.3mm

- Chip Number: 3 chips

- Wavelength: 850nm

- Type: Surface mount device

- Chip brand: Epistar

- Polarity mark cathode

- Different color are available

- Different wavelength are available

- Warranty: 5 Years

- RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output

- Long life-solid state reliability

- Low Power consumption

-Anti UV epoxy resin package

-High temperature resistance


- 치수 매개 변수 -

5050 led IR 3CHIPS

이 SMD LED 케이스는 적외선 LED, 자외선 LED, 청색 SMD LED, 적색 SMD LED, 황색 LED 요법에도 사용 가능합니다.


- 방출 색상 -

850nm 3chips ir led

- 전기적 파라미터 -


Parameter 

Symbol 

Rating 

Power Dissipation 

Pd 

 140mw 

Pulse Forward Current 

IFP 

 900mA 

Forward Current 

IF 

 90mA 

Reverse Voltage 

VR 

5V 

Junction Temperature 

Tj 

115°C 

Operating Tempertature 

Topr 

-40 - +80°C 

Storage Tempertature 

Tstg 

-40 - +100°C 

Soldering Temperature 

Tsol 

260°C 

Electro-Static-Discharge(HBM) 

ESD 

2000v 

Warranty 

Time 

5Years 

Antistatic bag 

Piece 

1000Bag 

*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us. 

*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C 


Parameter 

Symbol 

Min 

Typ 

Max 

Unit 

Test Condition 

Forward Voltage

VF

1.3

1.4

1.6

V

IF=20mA*3

1.4

1.5

1.8

IF=50mA*3

1.6

 

2.0

IF=100mA*3

Radiant Intensity

IE

 

10

20

mW/sr

IF=20mA*3

30

37

45

IF=50mA*3

 

78

 

IF=100mA*3

Peak Wavelength

λP

840

850

860

nm

IF=20mA*3

Half Width

Dl

 

45

 

nm

IF=20mA*3

Viewing Half Angle

2q1/2

 

120

 

deg

IF=20mA*3

Reverse Current

IR

 

 

5

uA

VR=5V

*Luminous Intensity is measured by ZWL600. 

*2q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity. 

*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device. 

- 골든 와이어 연결 -


Infrared LED golden wire


- 포장 -

적외선 LED

* 테이프로 감은 후 진공 포장하여 포장합니다.

- 신청 -

710nm IR LED


- 관련 IR LED -

Infrared LED - SMD LED



- 생산 -

Production Process of LED


- SMD LED 사용 -

SMD LED Use of attention

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ZhangFuqin

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이메일:amywu@byt-light.com

회사 주소: Building No. 1 Lane 1 Liuwu Nanlian The Fifth Industry Area , Longgang, Shenzhen, Guangdong