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기본 정보
모형: 3528FIRC-83L/14I100
Additional Info
포장: 판지 상자
생산력: 1000000000 pcs/week
상표: BestLED
수송: Ocean,Land,Air
원산지: 중국 심천
공급 능력: 7000000000 pcs/week
인증 : GB/T19001-2008/ISO9001:2008
HS 코드: 8541100000
포트: Shenzhen
제품 설명
많은 임상 연구 결과, 근적외선 영역의 830nm 적색광이 깊숙이 침투되었으며, 고 선량 및 고강도 자외선의 생물학적 효과의 염증에 대해 강력한 억제 효과를 나타냄을 발견했습니다. 따라서 과도한 염증을 조절하여 멜라닌 세포의 생존을 보호하고 멜라닌 세포의 활동을 촉진하고 자극 할 수 있습니다. 그래서 수리가 가능합니다. 동시에, 830nm 근적외선의 열 스트레스 효과는 멜라닌 세포의 기능을 촉진시킬 수 있습니다. 자외선 사진 요법 (모든 수준)과 결합하여 두 가지 공통적 인 효과를 크게 높여 주며 자외선 치료가 더 나은 치료 효과를 얻습니다. 또한 환자의 피부의 절대적인 안전을 보장하기 위해 자외선 광 치료제의 복용량을 줄일 수 있습니다. 830 nm의 근적외선 광 혼자 / (중파) 고 에너지 자외선 방사와 함께 크게 vitiligo의 치료를 촉진합니다. 프로젝트에 830nm LED가 필요합니까? 지금 문의하십시오 ~
- Size: 3.5*2.8*1.9mm - Chip Number: 1 chip - Color: 830nm LED - Type: Surface mount device - Chip brand: customize |
- Different color are available - Different wavelength are available - Warranty: 5 Years - RoHS, REACH, EN62471 |
- Uniform light output - Long life-solid state reliability - Low Power consumption -Anti UV epoxy resin package -High temperature resistance |
- 십센트 nsion P의 arameters-
이 SMD LED 케이스는 적외선 LED, 자외선 LED, 파란색 SMD LED, 적색 SMD LED, 황색 LED 요법에도 사용 가능합니다.
- 방출 색상 -
- 전기적 파라미터 -
Ta = 25 ℃ 에서 절대 최대 정격
Parameter |
Symbol |
Rating |
Power Dissipation |
Pd |
230mW |
Pulse Forward Current |
IFP |
350mA |
Forward Current |
IF |
100mA |
Reverse Voltage |
VR |
5V |
Junction Temperature |
Tj |
115°C |
Operating Tempertature |
Topr |
-40 - +80°C |
Storage Tempertature |
Tstg |
-40 - +100°C |
Soldering Temperature |
Tsol |
260°C |
Electro-Static-Discharge(HBM) |
ESD |
2000v |
Warranty |
Time |
5Years |
Antistatic bag |
Piece |
2000Back |
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us. |
||
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C |
광 및 전기적 특성 ( T c = 25 ℃ )
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
Forward Voltage |
VF |
1.7 |
|
2.4 |
V |
IF=100mA |
Pulse Forward Voltage |
VF |
|
2.8 |
|
V |
IFP=350mA |
Radiant Intensity |
IE |
35 |
|
55 |
mw/sr |
IF=100mA |
Peak Wavelength |
λP |
825 |
830 |
840 |
nm |
IF=100mA |
Total Radiated Power |
PO |
|
4.6 |
|
mw |
IF=100mA |
Half Width |
Dl |
|
50 |
|
nm |
IF=100mA |
Viewing Half Angle |
2q1/2 |
|
±60 |
|
deg |
IF=100mA |
Reverse Current |
IR |
|
|
5 |
uA |
VR=5V |
Rise Time |
Tr |
|
25 |
|
ns |
IF=100mA |
Fall Time |
Tf |
|
14 |
|
ns |
IF=100mA |
*Luminous Intensity is measured by ZWL600. |
||||||
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity. |
||||||
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device. |
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