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Shenzhen Best LED Opto-electronic Co.,Ltd

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PRODUCT CATEGORIES

높은 전력 850nm 적외선 LED 3W 블랙 케이스
높은 전력 850nm 적외선 LED 3W 블랙 케이스
높은 전력 850nm 적외선 LED 3W 블랙 케이스
높은 전력 850nm 적외선 LED 3W 블랙 케이스

높은 전력 850nm 적외선 LED 3W 블랙 케이스

지불 유형: L/C,T/T,Paypal,Money Gram,Western Union
Incoterm: FOB
최소 주문량: 100 Piece/Pieces
배송 시간: 7 일

기본 정보

    모형: 8080IRC-85L28I800-ES-60D

    인증: RoHS, CE, ISO, 다른

    신청: 전자 제품

    광도: 높은 지향성

    용법: 디스플레이, 가이드 라인 라이트, 광고 라이트, 조명, 다른

    색깔: 다른

    형성: 금실

    유형: 초 고휘도 LED

    Inner Packing: Anti-static Bag

    Polarity: Short Pin Is The Cathode

    Voltage: 2V

    Color: 850nm IR

    Power: 1W

    Current: 800mA

    LED Chip Size: 28mil

    Beam Width: 60 Degree

    Radiant Intensitye: 200-230mw/sr

    Chip Material: AlGaAs

Additional Info

    포장: 판지 상자

    생산력: 1000000000 pcs/week

    상표: BestLED

    수송: Ocean,Land,Air

    원산지: 중국 심천

    공급 능력: 7000000000 pcs/week

    인증 : GB/T19001-2008/ISO9001:2008

    HS 코드: 8541401000

    포트: Shenzhen

제품 설명

- 고출력 IR LED -

8080IRC-85L28I800-ES-60D

높은 전력 IR LED는 다른 SMD LED 케이스와 함께 포장 될 수 있습니다. 우리가 알다시피, LED가 작동 할 때 여분의 열이 발생합니다. 고온 작업 상황은 LED 칩의 수명을 단축시키고 높은 조명 감쇠로 이어져 장수명의 고체 신뢰성과 방사선을 유지하기 위해 고출력 LED를 일부 SMD LED 케이스와 함께 포장하는 것이 좋습니다 열처리에서 높은 성능 .

8080 smd led

- Size: 8*H5.4mm

- LED Chip Size:28mil

- Color:  IR LED  

- Lens type:  Clear

Chip brand: Epistar

- Different color are available

- Warranty: 5 Years

- Different wavelength are available

- RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output

- Low Power consumption

- Long life-solid state reliability

Anti UV epoxy resin package

- High temperature resistance

- 치수 매개 변수 -

8080 2W LED size

- 방출 색상 -

PLCC6 LED 3CHIPS IR


- 전기적 파라미터 -

Parameter 

Symbol 

Rating 

Power Dissipation 

Pd 

 1000mw 

Pulse Forward Current 

IFP 

 1500mA 

Forward Current 

IF 

 800mA 

Reverse Voltage 

VR 

5V 

Junction Temperature 

Tj 

115°C 

Operating Tempertature 

Topr 

-40 - +80°C 

Storage Tempertature 

Tstg 

-40 - +100°C 

Soldering Temperature 

Tsol 

260°C 

Electro-Static-Discharge(HBM) 

ESD 

3000v 

Warranty 

Time 

5Years 

Antistatic bag 

Piece 

1000Bag 

*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us. 

*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C 

Parameter 

Symbol 

Min 

Typ 

Max 

Unit 

Test Condition 

Forward Voltage 

VF 

1.5 


1.9 

V 

IF=300mA 

1.6

2 

2.5 

V 

IF=800mA 


4.5 

V 

IFP=1500mA 

Radiant Intensitye 

Ee 

  

200

230  

mw/sr 

IF=300mA 

  

450 

 650 

IF=800mA 

  

1100 

  

IFP=1500mA 

Peak Wavelength 

λP 

840

850 

860

nm 

IF=20mA 

Half Width 

Dl 

  

25 

  

nm 

IF=20mA 

Viewing Half Angle 

2q1/2

  

±22 

  

deg 

IF=20mA 

Reverse Current 

IR 

  

  

5 

uA 

VR=5V 

*Luminous Intensity is measured by ZWL600. 

*2q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity. 

*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device. 

- 골든 와이어 연결 -

PLCC2 LED HIGH IR



- 포장 -

2w LED bag

- 신청 -

infrared LED LAMP

- 관련 LED -


- 생산 -

Production Process of LED

-주의 -

smd led

제품 디렉토리 : 적외선 LED > 고성능 IR LED

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amywu@byt-light.com

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Fax:86-0755-89752207

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