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850nm IR LED 이미 터 수신기 쌍 소형

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공급 능력 및 추가 정보

Additional Information

포장: 판지 상자

생산력: 1000000000 pcs/week

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원산지: 중국

지원에 대한 지원: 7000000000 pcs/week

인증 : GB/T19001-2008/ISO9001:2008

HS 코드: 8541401000

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제품 속성

모형: 1206PT850D &1206IRC-85L

상표: 최고의 LED

포장 및 배송

판매 단위:	Piece/Pieces
포장 종류:	판지 상자

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릴 스트립으로 스루 홀 LED를 입력하십시오.

제품 설명

-IR 수신기-

1206PT850D 및 1206IRC-85L

위에 두 종류의 LED가 있는데, 흰색은 850nm 적외선 LED 이미 터이고 검은 색은 850nm 포토 다이오드라고도 명명 할 수있는 850nm LED 평면도 유형의 IR 수신기입니다. 회로에서 850nm LED 이미 터가 신호를 방출하면 IR 수신기가 신호를 수신합니다. 일반적으로 IR 수신기는 추가 빛을 필터링하기 위해 검은 색 렌즈로 포장되어 필요한 신호를받을 수 있습니다. IR 수신기의 경우 3mm 원형 상단, 5mm 원형 상단, 3528 SMD LED 유형 요법과 같은 다른 모양을 선택할 수도 있습니다.

1206 smd led

- Size: 2.0*1.25*0.8mm

- Chip Number: 1 chip

- Color: 850nm LED

- Type: Surface mount device

- Chip brand: Epistar

- Polarity Mark

- Different color are available

- Different wavelength are available

- Warranty: 5 Years

- RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output

- Long life-solid state reliability

- Low Power consumption

-Anti UV epoxy resin package

-High temperature resistance

-치수매개 변수-

1206 smd ir 850nm size

1206 smd 850nm receiver size

이 SMD LED 케이스는 IR LED, UV LED, 파란색 SMD LED, 빨간색 SMD LED, 황색 LED 요법에도 사용할 수 있습니다.

-발광색-

850nm IR LED 1206SMD

* 사진의 색상은 카메라로 촬영 한 것이므로 실제 발광색을 기준으로 해주세요.

-전기적 매개 변수-

Ta = 25 ℃ 에서 절대 최대 정격

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	50mW
Pulse Forward Current	IFP	100mA
Forward Current	IF	30mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	2Years
Antistatic bag	Piece	3000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

광학 및 전기적 특성 ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.3		1.6	V	IF=30mA
Pulse Forward Voltage	VF		2.0		V	IFP=100mA
Radiant Intensity	IE	2.3		4.8	mw/sr	IF=30mA
Peak Wavelength	λP	845	850	858	nm	IF=30mA
Total Radiated Power	PO		3.2		mw	IF=30mA
Half Width	Dl		50		nm	IF=30mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±70		deg	IF=30mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
Rise Time	Tr		25		ns	IF=30mA
Fall Time	Tf		13		ns	IF=30mA
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

1206 smd 수신기

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Collector-Emitter Voltage	VCEO			30	V
Emitter-Collector Voltage	VECO			5	V
Collector Dark Current	ICEO			30	nA	VCE=20V Ee=0mw/cm2
Collector Dark Current	ICEO			150	uA	VCE=70V Ee=0mw/cm2
On State Collector Current	IC(on)		0.7	4	mA	Ee=1mw/cm2 Vce=5v
Collector-Emitter Breakdown Voltage	Bvceo	85			V	ICBO=100uA Ee=0mw/cm2
Emitter-Collector Breakdown Voltage	Bvceo	8.2			V	IECO=10uA
Collector-Emitter Saturation Voltage	VCE(sat)			0.3	V	IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2
Photocurrent 1	IPCE	300		400	uA	Vce=5V Ee=1mw/cm2 λP=850nm
Photocurrent 2	IPCE	500		600	uA	VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm
Current gain	hFE	200		3000	uA	VCE=5V IC=2mA
Wavelenghth of Peak Sensitivity	λP		850		nm
Range of Spectral Bandwidth	λ0.5	700		1100	nm
Response Time-Rise Time	tR		15		us	Vce=5v Ic=1mA RL=1000Ω
Response Time-Fall Time	tF		15		us	Vce=5v Ic=1mA RL=1000Ω
Half Sensitivity angle	△λ		±10		deg
Collector-base Capacitance	CCB			8	PF	F=1MHz,VCB=3V

-골든 와이어 연결-

* LED의 수명을 모두 유지하기 위해 BestLED 공장은 내부 회로 연결을 위해 고순도 금선을 사용합니다.

-포장-

* 릴로 테이프를 붙인 후 진공 포장으로 포장합니다.

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-관련 LED-

-생산-

- 사용하다 -

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Category: IR 수신기

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