제품 리스트> 적외선 LED> 5050 SMD IR LED> 0.3W 850nm IR LED-5050 3 칩 LED
0.3W 850nm IR LED-5050 3 칩 LED
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    공급 능력 및 추가 정보
    Additional Information

    포장판지 상자

    생산력1000000000 pcs/week

    수송Ocean,Land,Air

    원산지중국

    지원에 대한 지원7000000000 pcs/week

    인증 GB/T19001-2008/ISO9001:2008

    HS 코드8541401000

    포트SHENZHEN

    지불 유형T/T,Paypal,Western Union

    인 코텀FOB,EXW,FCA

    제품 속성

    모형5050IRC-85L10I90

    상표최고의 LED

    포장 및 배송
    판매 단위: Piece/Pieces
    포장 종류: 판지 상자
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    제품 설명

    - 5050 SMD IR LED -

    5050IRC-85L10I90

    850nm LED는 CCTV 카메라, 야간 투시경 카메라 또는 기타 제거 제어 시스템 및 IR 보안 시스템에 널리 사용될 수 있습니다. 이 SMD LED 케이스는 5.0 * 5.0mm로 다른 SMD LED (2835 SMD LED, 3528 SMD LED 등)보다 큽니다. 이 5050 SMD LED 케이스는 3 칩 LED 베어 다이를 넣을 수있는 충분한 공간을 갖습니다. 이 경우 이러한 850nm 적외선 LED 3 칩 LED는 더 균일 한 조명 방사 결과를 얻습니다. 고출력 850nm 적외선 LED와 비교할 때이 5050 3 칩 850nm LED는 더 경제적이고 에너지 절약이 될 것입니다. SMD LED 내부에 3 개의 칩이있는 850nm가 필요합니까? 자세한 내용은 저희에게 문의하십시오!

    5050 smd ir led

    - Size: 5.0*5.0*1.3mm

    - Chip Number: 3 chips

    - Wavelength: 850nm

    - Type: Surface mount device

    - Chip brand: Epistar

    - Polarity mark cathode

    - Different color are available

    - Different wavelength are available

    - Warranty: 5 Years

    - RoHS, REACH, EN62471

    - Uniform light output

    - Long life-solid state reliability

    - Low Power consumption

    -Anti UV epoxy resin package

    -High temperature resistance


    - 치수 매개 변수 -

    5050 led IR 3CHIPS

    이 SMD LED 케이스는 IR LED, UV LED, 파란색 SMD LED, 빨간색 SMD LED, 황색 LED 요법에도 사용할 수 있습니다.


    -발광색-

    850nm 3chips ir led

    -전기적 매개 변수-


    Parameter 

    Symbol 

    Rating 

    Power Dissipation 

    Pd 

     140mw 

    Pulse Forward Current 

    IFP 

     900mA 

    Forward Current 

    IF 

     90mA 

    Reverse Voltage 

    VR 

    5V 

    Junction Temperature 

    Tj 

    115°C 

    Operating Tempertature 

    Topr 

    -40 - +80°C 

    Storage Tempertature 

    Tstg 

    -40 - +100°C 

    Soldering Temperature 

    Tsol 

    260°C 

    Electro-Static-Discharge(HBM) 

    ESD 

    2000v 

    Warranty 

    Time 

    5Years 

    Antistatic bag 

    Piece 

    1000Bag 

    *Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us. 

    *Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C 


    Parameter 

    Symbol 

    Min 

    Typ 

    Max 

    Unit 

    Test Condition 

    Forward Voltage

    VF

    1.3

    1.4

    1.6

    V

    IF=20mA*3

    1.4

    1.5

    1.8

    IF=50mA*3

    1.6

     

    2.0

    IF=100mA*3

    Radiant Intensity

    IE

     

    10

    20

    mW/sr

    IF=20mA*3

    30

    37

    45

    IF=50mA*3

     

    78

     

    IF=100mA*3

    Peak Wavelength

    λP

    840

    850

    860

    nm

    IF=20mA*3

    Half Width

    Dl

     

    45

     

    nm

    IF=20mA*3

    Viewing Half Angle

    2q1/2

     

    120

     

    deg

    IF=20mA*3

    Reverse Current

    IR

     

     

    5

    uA

    VR=5V

    *Luminous Intensity is measured by ZWL600. 

    *2q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity. 

    *lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device. 

    -골든 와이어 연결-


    Infrared LED golden wire


    -포장-

    IR LED

    * 테이프 후 릴로 진공 포장하여 포장

    - 신청 -

    710nm IR LED


    -관련 IR LED-

    Infrared LED - SMD LED



    -생산-

    Production Process of LED


    -SMD LED 사용-

    SMD LED Use of attention

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    Category: 5050 SMD IR LED
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