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포장: 판지 상자
생산력: 1000000000 pcs/week
수송: Ocean,Land,Air
원산지: 중국
지원에 대한 지원: 7000000000 pcs/week
인증 : GB/T19001-2008/ISO9001:2008
HS 코드: 8541401000
포트: SHENZHEN
지불 유형: T/T,Paypal,Western Union
인 코텀: FOB,EXW,FCA
모형: 1206PT850D &1206IRC-85L
상표: 최고의 LED
판매 단위: | Piece/Pieces |
---|---|
포장 종류: | 판지 상자 |
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1206PT850D 및 1206IRC-85L
위에 두 종류의 LED가 있는데, 흰색은 850nm 적외선 LED 이미 터이고 검은 색은 850nm 포토 다이오드라고도 명명 할 수있는 850nm LED 평면도 유형의 IR 수신기입니다. 회로에서 850nm LED 이미 터가 신호를 방출하면 IR 수신기가 신호를 수신합니다. 일반적으로 IR 수신기는 추가 빛을 필터링하기 위해 검은 색 렌즈로 포장되어 필요한 신호를받을 수 있습니다. IR 수신기의 경우 3mm 원형 상단, 5mm 원형 상단, 3528 SMD LED 유형 요법과 같은 다른 모양을 선택할 수도 있습니다.
- Size: 2.0*1.25*0.8mm - Chip Number: 1 chip - Color: 850nm LED - Type: Surface mount device - Chip brand: Epistar |
- Polarity Mark - Different color are available - Different wavelength are available
- Warranty: 5 Years
- RoHS, REACH, EN62471 |
- Uniform light output - Long life-solid state reliability
- Low Power consumption
-Anti UV epoxy resin package -High temperature resistance |
-치수매개 변수-
이 SMD LED 케이스는 IR LED, UV LED, 파란색 SMD LED, 빨간색 SMD LED, 황색 LED 요법에도 사용할 수 있습니다.
* 사진의 색상은 카메라로 촬영 한 것이므로 실제 발광색을 기준으로 해주세요.
-전기적 매개 변수-
Ta = 25 ℃ 에서 절대 최대 정격
Parameter |
Symbol |
Rating |
Power Dissipation |
Pd |
50mW |
Pulse Forward Current |
IFP |
100mA |
Forward Current |
IF |
30mA |
Reverse Voltage |
VR |
5V |
Junction Temperature |
Tj |
115°C |
Operating Tempertature |
Topr |
-40 - +80°C |
Storage Tempertature |
Tstg |
-40 - +100°C |
Soldering Temperature |
Tsol |
260°C |
Electro-Static-Discharge(HBM) |
ESD |
2000v |
Warranty |
Time |
2Years |
Antistatic bag |
Piece |
3000Back |
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us. |
||
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C |
광학 및 전기적 특성 ( T c = 25 ℃ )
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
Forward Voltage |
VF |
1.3 |
|
1.6 |
V |
IF=30mA |
Pulse Forward Voltage |
VF |
|
2.0 |
|
V |
IFP=100mA |
Radiant Intensity |
IE |
2.3 |
|
4.8 |
mw/sr |
IF=30mA |
Peak Wavelength |
λP |
845 |
850 |
858 |
nm |
IF=30mA |
Total Radiated Power |
PO |
|
3.2 |
|
mw |
IF=30mA |
Half Width |
Dl |
|
50 |
|
nm |
IF=30mA |
Viewing Half Angle |
2q1/2 |
|
±70 |
|
deg |
IF=30mA |
Reverse Current |
IR |
|
|
5 |
uA |
VR=5V |
Rise Time |
Tr |
|
25 |
|
ns |
IF=30mA |
Fall Time |
Tf |
|
13 |
|
ns |
IF=30mA |
*Luminous Intensity is measured by ZWL600. |
||||||
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity. |
||||||
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device. |
1206 smd 수신기
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
|
|
30 | V |
|
Emitter-Collector Voltage |
VECO |
|
|
5 | V |
|
Collector Dark Current |
ICEO |
|
|
30 |
nA |
VCE=20V Ee=0mw/cm2 |
Collector Dark Current |
ICEO |
|
|
150 | uA |
VCE=70V Ee=0mw/cm2 |
On State Collector Current |
IC(on) |
|
0.7 |
4
|
mA |
Ee=1mw/cm2 Vce=5v |
Collector-Emitter Breakdown Voltage |
Bvceo |
85 |
|
|
V |
ICBO=100uA Ee=0mw/cm2 |
Emitter-Collector Breakdown Voltage |
Bvceo |
8.2 |
|
V |
IECO=10uA |
|
Collector-Emitter Saturation Voltage |
VCE(sat) |
|
|
0.3
|
V |
IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2 |
Photocurrent 1 |
IPCE |
300
|
|
400
|
uA |
Vce=5V Ee=1mw/cm2
λP=850nm |
Photocurrent 2 |
IPCE | 500 |
|
600 | uA |
VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm |
Current gain |
hFE |
200
|
|
3000
|
uA |
VCE=5V IC=2mA |
Wavelenghth of Peak Sensitivity |
λP |
|
850
|
|
nm |
|
Range of Spectral Bandwidth |
λ0.5 |
700
|
|
1100
|
nm |
|
Response Time-Rise Time |
tR |
|
15 |
|
us |
Vce=5v Ic=1mA
RL=1000Ω |
Response Time-Fall Time |
tF |
|
15 |
|
us | |
Half Sensitivity angle |
△λ |
|
±10 |
|
deg |
|
Collector-base Capacitance |
CCB |
|
|
8 | PF | F=1MHz,VCB=3V |
-골든 와이어 연결-
-포장-
* 릴로 테이프를 붙인 후 진공 포장으로 포장합니다.
- 신청 -
-관련 LED-
-생산-
- 사용하다 -
전화 번호: 86-0755-89752405
휴대전화: +8615815584344
이메일: amywu@byt-light.com회사 주소: Building No. 1 Lane 1 Liuwu Nanlian The Fifth Industry Area , Longgang, Shenzhen, Guangdong China
웹 사이트: https://kr.bestsmd.com
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