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5mm 포토 트랜지스터 (검출기) IR 리시버 블랙 렌즈
최신 가격을 얻으십시오- 지불 유형: T/T,Paypal,Western Union
- 인 코텀: FOB,EXW,FCA
- 최소 주문량: 5000 Piece/Pieces
- 수송: Ocean,Land,Air
- 포트: SHENZHEN
공급 능력 및 추가 정보Additional Information포장: 판지 상자
생산력: 1000000000 pcs/week
수송: Ocean,Land,Air
원산지: 중국
지원에 대한 지원: 7000000000 pcs/week
인증 : GB/T19001-2008/ISO9001:2008
HS 코드: 8541401000
포트: SHENZHEN
지불 유형: T/T,Paypal,Western Union
인 코텀: FOB,EXW,FCA
제품 속성모형: 503PT940D-A3
상표: 최고의 LED
포장 및 배송판매 단위: Piece/Pieces 포장 종류: 판지 상자 The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
회사 비디오
릴 스트립으로 스루 홀 LED를 입력하십시오.제품 설명-IR 수신기 LED-
503PT940D-A3
포토 트랜지스터 는 PD 다이오드 라고도하며 , 503PT940D-A3은 ah ig h 속도 및 고감도 NPN 실리콘 포토 트랜 저항기입니다. 다른 유사한 제품인 포토 다이오드가 있습니다. 그렇다면 포토 다이오드 및 포토 트랜지스터와 다른 점은 무엇입니까? 일반적으로 포토 트랜지스터 는 포토 다이오드 보다 더 큰 출력을 얻을 수 있습니다 . P hototransistor는 밀리 암페어 수준입니다. 포토 트랜지스터 암전류가 더 큽니다. 포토 다이오드 응답 시간은 더 짧고, p hototransistor 응답 시간은 100 nanoseconds 미만, p hototransistor 응답 시간은 5-20 microseconds 미만입니다. 광 다이오드 선형성은 더 좋고, p hototransistor 선형성은 더 나쁘다. 그러나 PT 칩 크기는 작고, 비용은 낮고, p hototransistor 비용은 높다. 광 트랜지스터 튜브는 주변 온도의 영향을 받기 쉽고 광전류 변동이 큽니다. 광 트랜지스터 의 광 입력 은 쉽게 포화되며 이는 높은 증폭 계수와 관련이 있습니다. 광 트랜지스터는 빛을 반사하고 수신하는 데 사용할 수 있습니다. 포토 다이오드 튜브는 일반적으로 직접 빛을받습니다. 503PT940D-A3는 시야각이 20 도인 포토 트랜지스터 입니다.
- Size: 5.0*H8.7mm
- Chip Number:1 chips
- Color: 940nm
- Type: Black
- Chip brand: tyntek
- Different color are available
- Different wavelength are available
- Warranty: 5 Years
- RoHS, REACH, EN62471
- Uniform light output
- Long life-solid state reliability
- Low Power consumption
-Anti UV epoxy resin package
-High temperature resistance
- 5mm의 IR을 통해 홀 LED의 크기 -
*이 크기는 UV LED, IR LED (810nm LED, 850nm LED ...), 황색 LED, 노란색 LED, RGB LED, 깜박이는 LED 램프와 같은 다른 LED에도 사용할 수 있습니다. *
-작동 관통 구멍 IR 수신기 LED-
* 사진의 색상은 카메라로 촬영 한 것이므로 실제 발광색을 기준으로 해주세요.
-스루 홀 IR 수신기 LED 매개 변수-
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Collector-Emitter Voltage
VCEO
30 V
Emitter-Collector Voltage
VECO
6.5 V
Collector Dark Current
ICEO
100
nA
VCE=20V
Ee=0mw/cm2
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Bvceo
30
100
V
ICBO=100uA
Ee=0mw/cm2
Emitter-Collector
Breakdown Voltage
Bvceo
6
V
IECO=10uA
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
0.4 V
IC=2mA
IB=100uA
Ee=1mw/cm2
Photocurrent 1
IPCE
30
90 uA
Vce=5V
Ee=1mw/cm2
λP=850nm
Photocurrent 2
IPCE 90
270 uA VCE=5V
Ee=1mw/cm2
λP=940nm
Current gain
hFE
270
900 uA
VCE=5V
IC=2mA
Wavelenghth of Peak Sensitivity
λP 940
nm
Range of Spectral Bandwidth
λ0.5
400
1100 nm
Response Time-Rise Time
tR
15
us
Vce=5v
Ic=1mA
RL=1000Ω
Response Time-Fall Time
tF
15
us Half Sensitivity angle
△λ
±10
deg
Collector-base Capacitance
CCB
8 PF F=1MHz,VCB=3V -골든 와이어 연결-
* LED의 수명을 모두 유지하기 위해 BestLED 공장은 내부 회로 연결을 위해 고순도 금선을 사용합니다.
-IR LED 포장-
* 우리는이 LED를 원하는 수의 패키지로 포장하고 귀하의 요구 사항으로 LED 핀을 테이프로 묶거나 구부릴 수 있습니다.
-관련 IR LED-
- 생산 과정 -
- 쓰루 홀 IR LED-
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